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三极管uCEs一般为多少

这个问题不能一概而论 取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体 当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略 希望对你有所帮助

Uces=0,Iceo=0 Uces=0,就是晶体管的饱和压降为零,Iceo=0,就是晶体管的穿透电流为零,看似理想状态,其实晶体管也已损坏,前者为击穿短路,后者为开路状态.

1、三极管饱和电压Uces确定是通过实际测试.让它流过指定的电流,给定指定的基极电流.2、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

型号 材料与极性 pcm(w) icm(ma) bvcbo(v) c9013 si-npn 0.625 500 40 主要用于低频放大与电子开关 cs9014 npn,0.625w,0.1a,vcb0==50v,vce0=45v,vb0=5v,icb0=50na.hfe=60--1000,ft=270mhz 9015 硅pnp管 用途:低频放大.vcbo=50v vceo=45v vebo=5v icm=100毫安 pcm=0.45w ft=100mh 放大倍数:60-600(a-c)

越理想Uces越小,理想条件下为0

一、指代不同1、三极管Uces:即饱和状态,指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态.2、Uce:称为压降,电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化.二、原理不同1、三极管Uces:饱和状态工作

uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压,s代表saturation.uce是三极管集电极与发射极之间的电压.在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces.此外,三极管的工作状态有三种:截止状态、放大状态、饱和状态.

硅双极型三极管:1. 截止状态:发射结反向偏置,集电结反向偏置接近电源电压.2. 放大状态:反射结正向偏置0.6V,集电结反向偏置电源电压减去集电极电阻压降和基极电压.3. 饱和状态:发射结正向偏置0.6V,集电结正向偏置0.3V.

你说的是三极管c端和e端的电压差uce吧,它不等于0.7v.一般是ube=0.7v.uce要通过基尔霍夫电压方程求.大概在05v~12v左右

饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V.工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了.UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率.把追问也回答好吧.你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.

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